2月3日，上海市第十六屆人大四次會議在世博中心開幕。上海市市長龔正作《政府工作報告》。報告表示，今年要推進臨港科創城建設，加快打造一批高水平科創社區，持續提升東方芯港、大飛機園等特色產業園區能級，大力培育發展腦機接口、第四代半導體等未來產業。
第四代半導體是繼第一代矽基半導體、第二代化合物半導體（如砷化镓、磷化銦）、第三代寬禁帶半導體（如碳化矽、氮化镓）之後，麵向極端環境與超高能效需求的新型半導體材料體係，核心特征是“超寬禁帶、超高熱導率、超強穩定性”，目前以氧化镓（Ga₂O₃）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）為代表，正逐步從實驗室走向產業化驗證。
相較於前三代產品，第四代半導體器件可實現更高能效、更小體積和更低能耗，能有效突破現有半導體的性能瓶頸，廣泛應用於800V新能源汽車高壓平台、智能電網、儲能變流器、太赫茲通信、量子芯片等高端領域，被視為下一代功率電子產業的核心突破口，也是全球半導體產業競爭的新焦點。目前，三星電子、英特爾等全球企業均在積極布局相關領域，爭奪產業發展先機。
上海方麵，依托高能級科創平台和科研院所，在第四代半導體核心技術領域持續突破，多項成果達到國際領先水平。
其(qi)中(zhong)，中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院(yuan)上(shang)海(hai)光(guang)機(ji)所(suo)作(zuo)為(wei)國(guo)內(nei)較(jiao)早(zao)從(cong)事(shi)氧(yang)化(hua)镓(jia)晶(jing)體(ti)研(yan)究(jiu)的(de)單(dan)位(wei)，在(zai)上(shang)海(hai)市(shi)科(ke)委(wei)第(di)四(si)代(dai)半(ban)導(dao)體(ti)戰(zhan)略(lve)前(qian)沿(yan)專(zhuan)項(xiang)的(de)支(zhi)持(chi)下(xia)，聯(lian)合(he)杭(hang)州(zhou)富(fu)加(jia)镓(jia)業(ye)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)，在(zai)國(guo)際(ji)上(shang)首(shou)次(ci)采(cai)用(yong)垂(chui)直(zhi)布(bu)裏(li)奇(qi)曼(man)法(fa)（VB法）製備出8英寸氧化镓晶體，刷新了國際VB法製備氧化镓晶體的最大尺寸紀錄，具有裏程碑式意義——當前國內功率器件產線以8英寸平台為主流，該尺寸晶體可直接適配現有產線工藝，大幅降低產業鏈適配成本，加速氧化镓從實驗室走向產業應用的步伐。
（集邦化合物半導體整理）
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