1月8日，三安光電在投資者互動平台明確披露，旗下湖南三安半導體的碳化矽（SiC）MOSFET產品已正式向維諦、台達、光寶、長城、偉創力等全球頭部電源廠商實現批量供貨，相關產品經這些客戶集成後，將最終交付至數據中心、AI服務器、通信設備等下遊核心終端場景。
圖片來源：湖南三安
公開資料顯示，三安光電成立於2000年，2008年登陸上海證券交易所，是國內化合物半導體領域的龍頭企業，核心戰略定位為“LED+化合物半導體”雙主業協同發展。在SiC業務板塊，三安光電以湖南三安為核心運營主體，已建成國內領先的6英寸SiC襯底、外延及芯片產線。
梳理三安光電近期動態可見，自2025年12月底以來，公司在核心業務突破、資本運作、產能建設等多個維度動作頻頻。
除此次SiC MOSFET批量供貨外，公司2026年1月8日(ri)同(tong)步(bu)披(pi)露(lu)，其(qi)砷(shen)化(hua)镓(jia)多(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)已(yi)成(cheng)功(gong)應(ying)用(yong)於(yu)商(shang)用(yong)衛(wei)星(xing)電(dian)源(yuan)領(ling)域(yu)，供(gong)應(ying)多(duo)家(jia)國(guo)內(nei)外(wai)客(ke)戶(hu)，進(jin)一(yi)步(bu)鞏(gong)固(gu)了(le)在(zai)太(tai)空(kong)光(guang)伏(fu)賽(sai)道(dao)的(de)先(xian)發(fa)優(you)勢(shi)。
值得關注的是，在新能源汽車領域，公司1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片已成功搭載理想汽車高壓平台車型，實現車規級產品從技術攻關到規模化裝車的裏程碑突破。
圖片來源：三安半導體
2025年12月29日，公司董事會審議通過為全資及控股子公司提供不超過183億元擔保額度的議案，以支持各子公司在SiC、光通信等核心業務的產能建設與市場拓展，該議案將於2026年1月14日提交臨時股東會審議。同期，公司控股股東三安電子完成部分股份質押，累計質押5.99億股，占其持股比例的49.38%；三安集團及三安電子合計質押7.66億股，占其合計持股的52.11%，質押融資全部用於生產經營，未觸發平倉風險，公司控製權及經營穩定性不受影響。
產能布局上，湖南三安二期6/8英寸兼容產線正在加緊建設，規劃年產能36萬片（6英寸等效），預計2026年第二季度正式投產，屆時將進一步提升公司SiC業務的規模優勢。
行業分析人士指出，三安光電近期在SiC、砷化镓等核心業務領域的密集突破，疊加產能擴張與資本運作的穩步推進，正推動公司從傳統LED龍頭向全球領先的化合物半導體企業轉型。
隨著8英寸SiC產線良率提升、1.6T光芯片客戶驗證推進及車規級產品滲透率提升，公司有望在2026年迎來業績增長的關鍵拐點，同時為我國化合物半導體產業鏈的崛起提供支撐。
（集邦化合物半導體 Niko 整理）
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