近日，日本廠商Novel Crystal Technology宣布，將於2026年3月開始向全球客戶交付150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）單晶襯底樣品。
此前，該領域的商業供應主要局限於100毫米（4英寸）及以下尺寸，而150毫米則是當前全球功率半導體主流生產線（如碳化矽產線）的標準物理規格。
NCT成功實現這一尺寸的跨越，意味著下遊功率器件製造商無需進行大規模的設備更替，即可利用現有的6英寸晶圓加工配套設施進行氧化镓器件的規模化試製與量產準備。
氧化镓作為一種超寬禁帶材料，其物理特性在電力電子領域極具競爭力。其禁帶寬度約為4.5至4.9eV，遠超矽（Si）和碳化矽（SiC），這zhe賦fu予yu了le材cai料liao極ji高gao的de擊ji穿chuan電dian場chang強qiang度du和he極ji低di的de能neng量liang損sun耗hao。在zai同tong等deng耐nai壓ya水shui平ping下xia，氧yang化hua镓jia器qi件jian理li論lun上shang能neng實shi現xian比bi碳tan化hua矽gui更geng小xiao的de芯xin片pian尺chi寸cun和he更geng高gao的de能neng量liang轉zhuan換huan效xiao率lv。
更重要的是，氧化镓支持從熔體中直接生長（Melt-growth method），相比於生長環境嚴苛且極其緩慢的碳化矽，其在大規模生產中的成本優勢和產能擴張潛力被業界寄予厚望。
根據NCT公布的最新戰略路線圖，公司在開啟150毫米襯底樣品的交付後，計劃於2027年推出配套的150毫米氧化镓外延片。
此外，為進一步優化成本結構，NCT正在研發更為先進的液滴饋入生長法工藝，旨在通過消除對昂貴銥金坩堝的依賴，在2029年實現150毫米晶圓的低成本全麵量產。放眼未來，NCT設定了在2035年左右供應200毫米（8英寸）襯底的遠景目標。
（集邦化合物半導體整理）
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