截至2025年11月，碳化矽市場正經曆關鍵的價值重估與結構性分化。在價格端，低端大宗原料成本推升價格上漲，而主流6英寸襯底則因產能過剩而持續暴跌。但在應用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平台和台積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略性關鍵材料，預示SiC產業將迎來由HPC應用驅動的第二波高價值增長。
1、SiC價格趨勢分析：基礎原料上揚與高階襯底價格戰
近期碳化矽（SiC）市場價格呈現出明顯的結構性分化特征。
一方麵，SiC大宗流通價格（如黑碳化矽、綠碳化矽的流通粉末或顆粒）受多重因素推動而走強。根據CIP商品行情網、生意社等價格網站披露，過去一周SiC流通價報每公噸6,271人民幣，實現0.21%的周漲幅。
這波上漲主要由三股力量驅動：原材料成本的堅挺、下xia遊you需xu求qiu應ying用yong領ling域yu的de持chi續xu擴kuo大da，以yi及ji供gong應ying端duan因yin環huan保bao檢jian查zha或huo產chan能neng限xian製zhi所suo導dao致zhi的de供gong應ying整zheng頓dun。這zhe些xie因yin素su共gong同tong作zuo用yong，將jiang成cheng本ben壓ya力li傳chuan導dao至zhi市shi場chang流liu通tong環huan節jie，推tui動dong基ji礎chu原yuan料liao價jia格ge上shang揚yang。
另一方麵，用於功率器件的高階6英寸SiC晶圓襯底市場卻麵臨激烈的價格競爭。由於全球主要製造商產能的快速釋放，市場一度出現供過於求的風險，導致SiC襯底價格持續暴跌。
供應鏈消息顯示，襯底價格在2024年年中至Q4期間已跌至500美元/片以下，降幅超過20%。進入2025年後，價格競爭仍在持續，主流報價保持在400美元/片左右或更低，部分產品報價甚至逼近生產商的成本線，市場競爭格局正在加速洗牌。
圖片來源：千庫網
2、應用趨勢聚焦：AI高性能計算（HPC）領域的結構性爆發
SiC在高性能計算（HPC）領域的導入確定性，成為截至2025年11月最新的強勁增長驅動力。隨著AI算力芯片（如GPU）的功率飆升，傳統散熱材料難以應對，SiC憑借其卓越的導熱性能（熱導率高達500W/mK）成為解決方案的核心。
行業最新消息顯示，全球龍頭企業的布局已透露出最新進展：
NVIDIA平台導入SiC襯底作為中介層：英偉達（NVIDIA）傳出將在2025年推出的Rubin平台中導入SiC技術。計劃與台積電合作，將現行的CoWoS先進封裝工藝中的矽中介層升級為碳化矽（SiC Interposer），以應對高功耗散熱挑戰。
台積電推動12英寸SiC載板供應鏈：晶圓代工巨頭#台積電（TSMC）正積極推動供應鏈配合，研究將12英寸單晶碳化矽應用於散熱載板，以取代現有的陶瓷基板，解決未來HPC芯片極限熱功耗問題。襯底龍頭企業之一天嶽先進也已在2025年Q1推出全係列12英寸SiC襯底，為此應用提供材料基礎。
數據中心架構轉型：受惠於NVIDIA推動數據中心過渡至800V HVDC架構，對SiC功率元件的需求可望大幅躍升，進一步擴大SiC在AI服務器電源供應鏈中的市場份額。
新興光學應用：VR/AR/MR眼鏡：SiC因其折射率高達2.6-2.7（遠高於傳統玻璃），有潛力用於製造AR/MR眼鏡的核心光學元件，幫助設備實現更輕薄、視場角更廣（例如70度以上）的設計，有望成為下一代消費電子光學元件的關鍵材料。
這些舉措標誌著SiC不僅限於電力電子，更將深度參與到HPC的核心散熱體係中，開辟了SiC產業的第二成長曲線。
3、結語
截至2025年11月，SiC市場正經曆從產能擴張到應用升級的關鍵轉折。盡管高階襯底市場的價格戰和整合仍在持續，但資本市場已將目光從短期價格波動轉向SiC在AI/HPC領域的長期戰略價值。
預期未來幾年，隨著NVIDIA和TSMC平台SiC方案的落地，產業將進入需求結構性爆發期，技術領先且具備成本控製優勢的企業將主導市場，並引領SiC產業進入一個更高價值、更廣應用的新紀元。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。